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新型功率半導體器件IGBT是電力電子行業(yè)的“CPU”，IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS管(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

近年來，中國新型功率半導體器件行業(yè)受到各級政府的高度重視和國家產(chǎn)業(yè)政策的重點支持。國家陸續(xù)出臺了多項政策，鼓勵新型功率半導體器件行業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新，《關于加快培育發(fā)展制造業(yè)優(yōu)質(zhì)企業(yè)的指導意見》《基礎電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃（2021-2023年）》《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》等產(chǎn)業(yè)政策為新型功率半導體器件行業(yè)的發(fā)展提供了明確、廣闊的市場前景，為企業(yè)提供了良好的生產(chǎn)經(jīng)營環(huán)境。具體情況列示如下：

資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理