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6 月 24 日消息，中國科學院半導體研究所 6 月 23 日發(fā)布訃告，中國工程院院士、中國科學院半導體研究所研究員、我國著名半導體材料學家梁駿吾先生因病醫(yī)治無效，不幸于 2022 年 6 月 23 日 17 時在北京逝世，享年 89 歲。

中國科學院半導體研究所在《梁駿吾院士生平》中寫道：

中國工程院院士、中國科學院半導體研究所研究員、我國著名半導體材料學家、我國早期半導體硅材料的奠基人梁駿吾先生因病醫(yī)治無效，不幸于 2022 年 6 月 23 日 17 時在北京逝世，享年 89 歲。半導體研究所和半導體材料科學領域為失去這樣一位學科泰斗，扼腕痛惜；梁氏家族為失去這樣一位摯愛親人，無限悲痛；學生弟子，為失去這樣一位良師，深切哀悼。

梁駿吾院士，1933 年 9 月 18 日生于湖北武漢。1955 年畢業(yè)于武漢大學物理專業(yè)，1956 年至 1960 年就讀于前蘇聯(lián)科學院莫斯科巴依可夫冶金研究所并獲得副博士學位，同年到中國科學院半導體研究所工作至今。60 多年來，他為我國半導體材料領域的學科建設、技術創(chuàng)新、產業(yè)振興以及人才培養(yǎng)作出了重要貢獻。梁駿吾院士先后榮獲國家科委科技成果二等獎和新產品二等獎各 1 次，國家科技進步三等獎 1 次、中科院重大成果和科技進步一等獎 3 次、二等獎 4 次，上海市科技進步二等獎 1 次等各種科技獎共 20 余次。1997 年當選中國工程院院士。

梁駿吾院士在半導體材料科學領域辛勤耕耘、造詣頗深，并取得了一系列重要科研成果。上世紀 60 年代解決了高純區(qū)熔硅的關鍵技術。1964 年制備出室溫激光器用 GaAs 液相外延材料。1979 年研制成功為大規(guī)模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優(yōu)質硅區(qū)熔單晶。80 年代首創(chuàng)了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了硅片的完整性和均勻性的問題。90 年代初研究 MOCVD 生長超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學性能和超晶格結構控制方面，將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平。主持“七五”、“八五”重點硅外延攻關，完成了微機控制、光加熱、低壓硅外延材料生長和設備的研究。他還在太陽電池用多晶硅的研究和產業(yè)化等方面發(fā)揮著積極作用。

院士一路走好，感謝您為半導體做出的貢獻。