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據(jù)發(fā)布的《2021-2027中國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢(shì)》行業(yè)分析報(bào)告的數(shù)據(jù)顯示，在2019年全球分立器件的市場(chǎng)規(guī)模就達(dá)到了四百零三億元，并且在2015到2019年的市場(chǎng)復(fù)合增長(zhǎng)率是百分之五點(diǎn)三，而在中國(guó)市場(chǎng)的分立器件市場(chǎng)規(guī)模增加了，從2015年的一百一十億美元增加到了2019年的一百四十五億美元，其2015到2019年的市場(chǎng)復(fù)合年增長(zhǎng)率是百分之七點(diǎn)三。

1、全球分立器件市場(chǎng)規(guī)模在不斷增加

分立功率半導(dǎo)體器件是指用在電力電子作為開關(guān)與整流器的分立半導(dǎo)體器件，并且跟其他功率器件組裝時(shí)來作為功率IC的一部分，同時(shí)分立功率半導(dǎo)體器件可以分成三極管、品閘管與二極管。

在未來，由于全球需求的普遍增加，再加上中國(guó)制造分立器件的能力增長(zhǎng)，那么可以預(yù)計(jì)市場(chǎng)規(guī)模會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)。

前面在全球上除了MOS之外的三極管，比如IGBT及BJT在根據(jù)產(chǎn)品類別劃分的市場(chǎng)份額都保持在領(lǐng)先，在2019年占了百分之三十六點(diǎn)九，市場(chǎng)份額排在第二位的是二極管，在2019年占比是百分之三十二點(diǎn)七，而MOS市場(chǎng)份額是百分之二十六，排在第三。

2、MOSFET在中國(guó)市場(chǎng)占據(jù)首位

在中國(guó)市場(chǎng)分立功率半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)規(guī)模快速增長(zhǎng)，由2015年的一百一十億美元增加到2019年的一百四十五億美元，2015到2019年的市場(chǎng)復(fù)合年增長(zhǎng)率在是百分之七點(diǎn)三，在未來根據(jù)全球需求的普遍上升，同時(shí)再加上中國(guó)制造分立器件如MOSFET、二極管及三極管的產(chǎn)能，市場(chǎng)規(guī)模還會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)。

按器件類別來區(qū)分，MOSFET在分立功率半導(dǎo)體器件當(dāng)中排在首位，在2019年占市場(chǎng)規(guī)模的百分之三十六點(diǎn)三，第二是二極管、另外是三極管及晶閘管，市場(chǎng)份額是百分之三十二點(diǎn)二、百分之二十及百分之五點(diǎn)五。

在MOSFET下游應(yīng)用及消費(fèi)電子產(chǎn)品快速發(fā)展的基礎(chǔ)下，根據(jù)MOSFET銷售所區(qū)分的市場(chǎng)規(guī)模由2015年的三十七億美元增至2019年的五十三億美元，而且在2015到2019年市場(chǎng)復(fù)合增長(zhǎng)率是百分之九點(diǎn)二。