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一文了解場效應三極管型號規(guī)則及參數含義

發(fā)表時間:2024-04-23
來源:網絡整理
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我們已經了解場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管(JFET)因有兩個PN結而得名,絕緣柵型場效應管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中,應用最為廣泛的是MOS場效應管,簡稱MOS管(即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管,以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。

 


場效應三極管的型號命名方法

場效應管這么多分類,這么多型號,我們怎么區(qū)分這些產品呢?金譽半導體帶大家從命名規(guī)則角度切入,了解其中奧妙。

場效應三極管管現行有兩種命名方法。第一種命名方法,型號的第三位字母J代表結型場效應管,O代表絕緣柵場效應管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型層是N溝道C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結型N溝道場效應三極管,3DO6C是絕緣柵型N溝道場效應三極管。

  第二種命名方法是CS××#,CS代表場效應管,××以數字代表型號的序號,#用字母代表同一型號中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。

  場效應管的參數

  另外我們在了解產品的時候,產品參數也極為重要,場效應管的參數很多,包括直流參數、交流參數和極限參數,但一般使用時關注以下主要參數:

  1、IDSS — 飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓U GS=0時的漏源電流。

  2、UP — 夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓。

  3、UT — 開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓。

  4、gM — 跨導。是表示柵源電壓U GS — 對漏極電流I D的控制能力,即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場效應管放大能力的重要參數。

  5、BUDS — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時,場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數,加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。

  6、PDSM — 最大耗散功率。也是一項極限參數,是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時,場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量。

  7、IDSM — 最大漏源電流。是一項極限參數,是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過IDSM

這些都是比較簡淺易懂的了解方式,但如果要深入了解產品,還得從功能,使用方式和場景等方面入手,想持續(xù)了解可以關注金譽半導體噢。