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一文了解場效應(yīng)三極管型號規(guī)則及參數(shù)含義

場效應(yīng)三極管管現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法，型號的第三位字母J代表結(jié)型場效應(yīng)管，O代表絕緣柵場效應(yīng)管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如，3DJ6D是結(jié)型N溝道場效應(yīng)三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場效應(yīng)三極管。

場效應(yīng)管工作原理及特點和作用

場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管?。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。

電阻器尺寸和封裝標準

表面貼裝電阻器的形狀和尺寸已標準化，大多數(shù)制造商都使用 JEDEC 標準。貼片電阻的尺寸由數(shù)字代碼表示，例如0603。該代碼包含封裝的長度和寬度。因此，英制代碼 0603 表示長度為 0.060"，寬度為 0.030"。

GaN開啟了“無限復(fù)制”時代！

外延技術(shù)，即在半導(dǎo)體制造中將半導(dǎo)體材料生長成對齊良好的薄膜，對于半導(dǎo)體制造至關(guān)重要。使用外延技術(shù)進行的GaN遠程同質(zhì)外延在GaN芯片上形成了二維材料。可以在芯片上生長出與芯片質(zhì)量相同的GaN半導(dǎo)體，并容易地移除，從而實現(xiàn)使用單個GaN芯片連續(xù)生產(chǎn)GaN半導(dǎo)體。

半導(dǎo)體“黑科技”：氮化鎵

GaN作為第三代半導(dǎo)體材料，其性質(zhì)決定了將更適合4G乃至未來5G等技術(shù)的應(yīng)用。從現(xiàn)在的市場狀況來看，GaAs仍然是手機終端PA和LNA等的主流，而LDMOS則處于基站RF的霸主地位。但是，伴隨著Si材料和GaAs材料在性能上逐步達到極限，我們預(yù)計GaN半導(dǎo)體將會越來越多的應(yīng)用在無線通信領(lǐng)域中。